無論是硅晶圓的制造，還是薄膜材料的應用，掌握材料的電阻率和方阻是進行有效設計和優化的基礎。

電阻率和方阻的定義。

電阻率是描述材料電阻特性的物理量，它反映了材料內部電子和空穴的濃度，與材料的尺寸和形狀無關。

方阻，即方塊電阻，是薄膜材料單位面積上的電阻。它對于MEMS器件的設計尤為重要，因為它直接影響器件的電學性能。

在實際測量中，我們根據測量需求選擇合適的參數。例如，在硅晶圓或絕緣體上硅（SOI）的規格書中，電阻率是表征其基本電學參數的關鍵指標。而對于薄膜材料，方阻的使用則使電學設計更為簡便。

蘇州同創電子有限公司的四探針測試儀系列，正是為了滿足這類測量需求而設計。四探針法是高效測量半導體材料電阻率和方阻的方法，通過四個探針與材料表面接觸，消除接觸電阻的影響，從而實現高精度的測量。這種方法特別適用于測量薄層材料的方阻，為半導體材料的研發和應用提供支持。

以蘇州同創電子的SZT-4數字式四探針測試儀為例，它具備二量程的電阻測量功能，適用于測量片狀、柱狀或塊狀半導體材料的電阻率。通過對恒流源的調整，可以對測量結果進行修正，以獲得更準確的電學參數。SZT-4還具備手持式測試頭或座式測試架，方便在不同場景使用。

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